Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions / Stanetskaja, A. S., Tomashik, V. N., Stratijchuk, I. B., Tomashik, Z. F., Galkin, S. N. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363507
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2014, Вып. 49)

Станецкая А. С., Томашик В. Н., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф., Галкин С. Н.
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H2O2–HBr–уксусная кислота

Бібліографічний опис:
Станецкая А. С., Томашик В. Н., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф., Галкин С. Н. Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H2O2–HBr–уксусная кислота. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2014. Вып. 49. С. 53-59. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363507

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2014, 49)

Stanetskaja A. S., Tomashik V. N., Stratijchuk I. B., Tomashik Z. F., Galkin S. N.
Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions

Cite:
Stanetskaja, A. S., Tomashik, V. N., Stratijchuk, I. B., Tomashik, Z. F., Galkin, S. N. (2014). Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 49, 53-59. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363507 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209