Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe / Mostovoj, A. I., Brus, V. V., Marjanchuk, P. D., Uljanitskij, K. S. (2013)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404961
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2013, № 1)

Мостовой А. И., Брус В. В., Марьянчук П. Д., Ульяницкий К. С.
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe

Бібліографічний опис:
Мостовой А. И., Брус В. В., Марьянчук П. Д., Ульяницкий К. С. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 1. С. 45-48. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404961

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2013, 1)

Mostovoj A. I., Brus V. V., Marjanchuk P. D., Uljanitskij K. S.
Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe

Cite:
Mostovoj, A. I., Brus, V. V., Marjanchuk, P. D., Uljanitskij, K. S. (2013). Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe. Technology and design in electronic equipment, 1, 45-48. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404961 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209