The magnetotransistor simulation based on the one-dimension continuity equation / Glauberman, M. A., Egorov, V. V., Kanishcheva, N. A. (2013)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405011
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2013, № 2-3)

Глауберман М. А., Егоров В. В., Канищева Н. А.
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности

Бібліографічний опис:
Глауберман М. А., Егоров В. В., Канищева Н. А. Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 2-3. С. 28-32. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405011

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2013, 2-3)

Glauberman M. A., Egorov V. V., Kanishcheva N. A.
The magnetotransistor simulation based on the one-dimension continuity equation

Cite:
Glauberman, M. A., Egorov, V. V., Kanishcheva, N. A. (2013). The magnetotransistor simulation based on the one-dimension continuity equation. Technology and design in electronic equipment, 2-3, 28-32. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405011 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209