Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors / Kudrik, Ja. Ja. (2013)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405168
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2013, № 6)

Кудрик Я. Я.
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам

Бібліографічний опис:
Кудрик Я. Я.  Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 6. С. 3-13. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405168

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2013, 6)

Kudrik Ja. Ja.
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors

Cite:
Kudrik, Ja. Ja. (2013). Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors. Technology and design in electronic equipment, 6, 3-13. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405168 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209