Peculiarities of surface topology of In4Se3 layered crystals / Balitskij, A. A. (2006)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455232
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2006, № 2)

Балицкий А. А.
Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In4Se3

Бібліографічний опис:
Балицкий А. А.  Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In4Se3. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2006. № 2. С. 63-64. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455232

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2006, 2)

Balitskij A. A.
Peculiarities of surface topology of In4Se3 layered crystals

Cite:
Balitskij, A. A. (2006). Peculiarities of surface topology of In4Se3 layered crystals. Technology and design in electronic equipment, 2, 63-64. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455232 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209