Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures / Druzhinin, A. A., Ostrovskij, I. P., Khoverko, Ju. N., Koretskij, R. N. (2016)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606229
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2016, № 4-5)

Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н.
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе

Бібліографічний опис:
Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н. Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2016. № 4-5. С. 47-52. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606229

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2016, 4-5)

Druzhinin A. A., Ostrovskij I. P., Khoverko Ju. N., Koretskij R. N.
Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures

Cite:
Druzhinin, A. A., Ostrovskij, I. P., Khoverko, Ju. N., Koretskij, R. N. (2016). Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures. Technology and design in electronic equipment, 4-5, 47-52. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606229 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209