Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures / Savelev, A. P., Gudina, S. V., Arapov, Ju. G., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Jakunin, M. V. (2017)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687587
Low Temperature Physics   А - 2019 /  Issue (2017, Т. 43, № 4)
Савельев А. П., Гудина С. В., Арапов Ю. Г., Неверов В. Н., Подгорных С. М., Якунин М. В.
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
Бібліографічний опис:
Савельев А. П., Гудина С. В., Арапов Ю. Г., Неверов В. Н., Подгорных С. М., Якунин М. В. Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs. Физика низких температур. 2017. Т. 43, № 4. С. 612-617. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687587 |  Low Temperature Physics / Issue (2017, 43 (4))
Savelev A. P., Gudina S. V., Arapov Ju. G., Neverov V. N., Podgornykh S. M., Jakunin M. V.
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
Cite:
Savelev, A. P., Gudina, S. V., Arapov, Ju. G., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Jakunin, M. V. (2017). Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures. Low Temperature Physics, 43 (4), 612-617. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687587 [In Russian]. | |
|
|
PDF