Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu2ZnSnS4/n-Si / Jusupov, A., Adambaev, K., Turaev, Z. Z., Aliev, S. R. (2016)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840551
  Journal of Surface Physics and Engineering   /     Issue (2016, Т. 1, № 3)

Юсупов А., Адамбаев К., Тураев З. З., Алиев С. Р.
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu2ZnSnS4/n-Si

Бібліографічний опис:
Юсупов А., Адамбаев К., Тураев З. З., Алиев С. Р. Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu2ZnSnS4/n-Si. Журнал фізики та інженерії поверхні. 2016. Т. 1, № 3. С. 246-250. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840551

English  Journal of Surface Physics and Engineering   /     Issue (2016, 1 (3))

Jusupov A., Adambaev K., Turaev Z. Z., Aliev S. R.
Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu2ZnSnS4/n-Si

Cite:
Jusupov, A., Adambaev, K., Turaev, Z. Z., Aliev, S. R. (2016). Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu2ZnSnS4/n-Si. Journal of Surface Physics and Engineering, 1 (3), 246-250. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000840551 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209