About mechanism of high-voltage photo emf formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption / Vajtkus, Ju. Ju., Juldashev, N. Kh., Otazhonov, S. M. (2005)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000859380
  Physical surface engineering   /     Issue (2005, Т. 3, № 3-4)

Вайткус Ю. Ю., Юлдашев Н. Х., Отажонов С. М.
О механизме образования высоковольтной фото-ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Аg при собственном и примесном поглощении

Бібліографічний опис:
Вайткус Ю. Ю., Юлдашев Н. Х., Отажонов С. М. О механизме образования высоковольтной фото-ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Аg при собственном и примесном поглощении. Фізична інженерія поверхні. 2005. Т. 3, № 3-4. С. 219-227. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000859380

English  Physical surface engineering   /     Issue (2005, 3 (3-4))

Vajtkus Ju. Ju., Juldashev N. Kh., Otazhonov S. M.
About mechanism of high-voltage photo emf formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption

Cite:
Vajtkus, Ju. Ju., Juldashev, N. Kh., Otazhonov, S. M. (2005). About mechanism of high-voltage photo emf formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption. Physical surface engineering, 3 (3-4), 219-227. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000859380 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209