Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure / Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Karimov, A. A. (2013)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928058
  Physical surface engineering   /     Issue (2013, Т. 11, № 2)

Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Каримов А. А.
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры

Бібліографічний опис:
Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Каримов А. А. Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры. Фізична інженерія поверхні. 2013. Т. 11, № 2. С. 199-203. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928058

English  Physical surface engineering   /     Issue (2013, 11 (2))

Jodgorova D. M., Karimov A. V., Karimov A. A.
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure

Cite:
Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Karimov, A. A. (2013). Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure. Physical surface engineering, 11 (2), 199-203. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928058 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209