Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers / Onyshchenko, V. F. (2016)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007756
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2016, Вып. 51)

Онищенко В. Ф.
Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації

Бібліографічний опис:
Онищенко В. Ф.  Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2016. Вып. 51. С. 158-162. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007756

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2016, 51)

Onyshchenko V. F.
Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers

Cite:
Onyshchenko, V. F. (2016). Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 51, 158-162. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007756 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209