Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon / Pashchenko, H. A., Trishchuk, L. I., Kapush, O. A. (2021)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342048
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2021, Вип. 56)

Пащенко Г. А., Тріщук Л. І., Капуш О. А.
Фотолюмінесценція нанокристалічного CdTe, впровадженого в пористий кремній

Бібліографічний опис:
Пащенко Г. А., Тріщук Л. І., Капуш О. А. Фотолюмінесценція нанокристалічного CdTe, впровадженого в пористий кремній. Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2021. Вип. 56. С. 123-128. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342048

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2021, 56)

Pashchenko H. A., Trishchuk L. I., Kapush O. A.
Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon

Cite:
Pashchenko, H. A., Trishchuk, L. I., Kapush, O. A. (2021). Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 56, 123-128. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342048 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209