Graded-gap AlInN Gunn diodes / Storozhenko I. P., Yaroshenko A. N., Kaydash M. V. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350137
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 2)

Storozhenko I. P., Yaroshenko A. N., Kaydash M. V.
Graded-gap AlInN Gunn diodes

Cite:
Storozhenko, I. P., Yaroshenko, A. N., Kaydash, M. V. (2012). Graded-gap AlInN Gunn diodes. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (2), 176-180. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350137

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна