Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide / Katerynchuk V. M., Kudrynskyi Z. R. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350246
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 3)

Katerynchuk V. M., Kudrynskyi Z. R.
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide

Cite:
Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R. (2012). Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (3), 214-217. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350246

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна