Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation / Kopyshinsky A. V., Zelensky S. E., Gomon E. A., Rozouvan S. G., Kolesnik A. S. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350395
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 4)

Kopyshinsky A. V., Zelensky S. E., Gomon E. A., Rozouvan S. G., Kolesnik A. S.
Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation

Cite:
Kopyshinsky, A. V., Zelensky, S. E., Gomon, E. A., Rozouvan, S. G., Kolesnik, A. S. (2012). Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (4), 376-381. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350395

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна