Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN / Sheremet V. N. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352313
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2013, Vol. 16, № 3)

Sheremet V. N.
Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN

Cite:
Sheremet, V. N. (2013). Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 16 (3), 280-284. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352313

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна