Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe / Melezhik E. O., Gumenjuk-Sichevska J. V., Sizov F. F. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352579
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2014, Vol. 17, № 1)

Melezhik E. O., Gumenjuk-Sichevska J. V., Sizov F. F.
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe

Cite:
Melezhik, E. O., Gumenjuk-Sichevska, J. V., Sizov, F. F. (2014). Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 17 (1), 85-96. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352579

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна