Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F / Ефимович А. П., Крыжановский В. Г. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405240
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2014, № 1)

Ефимович А. П., Крыжановский В. Г.
Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F

Бібліографічний опис:
Ефимович А. П., Крыжановский В. Г. Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 1. С. 3-10. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405240

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2014, 1)

Efimovich A. P., Kryzhanovskij V. G.
Compensation of parasitic elements of transistor in the class F amplifier with the tuning of impedances at harmonics

Cite:
Efimovich, A. P., Kryzhanovskij, V. G. (2014). Compensation of parasitic elements of transistor in the class F amplifier with the tuning of impedances at harmonics. Technology and design in electronic equipment, 1, 3-10. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405240 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна