Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405304
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2014, № 5-6)

Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н.
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Бібліографічний опис:
Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н. Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 5-6. С. 46-50. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405304

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2014, 5-6)

Druzhinin A. A., Ostrovskij I. P., Khoverko Ju. N., Koretskij R. N.
Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures

Cite:
Druzhinin, A. A., Ostrovskij, I. P., Khoverko, Ju. N., Koretskij, R. N. (2014). Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures. Technology and design in electronic equipment, 5-6, 46-50. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405304 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна