Особенности построения полупроводниковых вибрационно-частотных сенсоров / Байцар Р. И., Рак В. С. (1998)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455336
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (1998, № 1)

Байцар Р. И., Рак В. С.
Особенности построения полупроводниковых вибрационно-частотных сенсоров

Бібліографічний опис:
Байцар Р. И., Рак В. С. Особенности построения полупроводниковых вибрационно-частотных сенсоров. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1998. № 1. С. 29-31. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455336

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (1998, 1)

Bajtsar R. I., Rak V. S.
The structure peculiarities of semiconductor vibration-frequency sensors

Cite:
Bajtsar, R. I., Rak, V. S. (1998). The structure peculiarities of semiconductor vibration-frequency sensors. Technology and design in electronic equipment, 1, 29-31. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455336 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна