Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons / Pagava T. A., Khocholava D. Z., Maisuradze N. I., Chkhartishvili L. S. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678438
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2012, Vol. 57, № 5)

Pagava T. A., Khocholava D. Z., Maisuradze N. I., Chkhartishvili L. S.
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons

Cite:
Pagava, T. A., Khocholava, D. Z., Maisuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S. (2012). Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons. Ukrainian journal of physics, 57 (5), 525-530. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678438

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна