Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts / Kozynets' O. V., Litvinenko S. V. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000685846
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2012, Vol. 57, № 12)

Kozynets' O. V., Litvinenko S. V.
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts

Cite:
Kozynets, O. V., Litvinenko, S. V. (2012). Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts. Ukrainian journal of physics, 57 (12), 1234-1238. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000685846

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна