Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures / Litovchenko N. M., Korbutyak D. V., Strilchuk O. M. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000688773
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2013, Vol. 58, № 3)

Litovchenko N. M., Korbutyak D. V., Strilchuk O. M.
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures

Cite:
Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., Strilchuk, O. M. (2013). Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures. Ukrainian journal of physics, 58 (3), 260-267. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000688773

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна