Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode / Mel'nyk P. V., Nakhodkin M. G., Fedorchenko M. I. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000773491
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2017, Vol. 62, № 8)

Mel'nyk P. V., Nakhodkin M. G., Fedorchenko M. I.
Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode

Cite:
Melnyk, P. V., Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I. (2017). Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode. Ukrainian journal of physics, 62 (8), 692-698. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000773491

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна