Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content / Trubaieva O. G., Lalayants A. I., Chaika M. A. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849116
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2018, Vol. 63, № 1)

Trubaieva O. G., Lalayants A. I., Chaika M. A.
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content

Cite:
Trubaieva, O. G., Lalayants, A. I., Chaika, M. A. (2018). Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content. Ukrainian journal of physics, 63 (1), 33-37. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849116

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна