Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / Мирзаева З. И., Набиев Г. А., Эргаш К. М. (2008)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867764
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2008, Т. 6, № 1-2)

Мирзаева З. И., Набиев Г. А., Эргаш К. М.
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках

Бібліографічний опис:
Мирзаева З. И., Набиев Г. А., Эргаш К. М. Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках. Фізична інженерія поверхні. 2008. Т. 6, № 1-2. С. 65-69. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867764

English  Physical surface engineering   /     Issue (2008, 6 (1-2))

Mirzaeva Z. I., Nabiev G. A., Ergash K. M.
Photoelectric state without an external polarizing field in homogeneous semiconductors

Cite:
Mirzaeva, Z. I., Nabiev, G. A., Ergash, K. M. (2008). Photoelectric state without an external polarizing field in homogeneous semiconductors. Physical surface engineering, 6 (1-2), 65-69. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867764 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна