Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review) / Sachenko A. V., Konakova R. V., Belyaev A. Ye. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000868576
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 1)

Sachenko A. V., Konakova R. V., Belyaev A. Ye.
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)

Cite:
Sachenko, A. V., Konakova, R. V., Belyaev, A. Ye. (2018). Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review). Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (1), 5-40. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000868576

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна