Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Набиев Г. А. (2008)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872893
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2008, Т. 6, № 3-4)

Набиев Г. А.
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении

Бібліографічний опис:
Набиев Г. А.  Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении. Фізична інженерія поверхні. 2008. Т. 6, № 3-4. С. 202-209. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872893

English  Physical surface engineering   /     Issue (2008, 6 (3-4))

Nabiev G. A.
Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning

Cite:
Nabiev, G. A. (2008). Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning. Physical surface engineering, 6 (3-4), 202-209. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872893 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна