Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO3> / Нетяга В. В., Водопьянов В. Н., Иванов В. И., Ткачук И. Г., Ковалюк З. Д. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000885482
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2018, № 2)

Нетяга В. В., Водопьянов В. Н., Иванов В. И., Ткачук И. Г., Ковалюк З. Д.
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe

Бібліографічний опис:
Нетяга В. В., Водопьянов В. Н., Иванов В. И., Ткачук И. Г., Ковалюк З. Д. Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2018. № 2. С. 3-8. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000885482

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2018, 2)

Netjaga V. V., Vodopjanov V. N., Ivanov V. I., Tkachuk I. G., Kovaljuk Z. D.
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe < RbNO3>

Cite:
Netjaga, V. V., Vodopjanov, V. N., Ivanov, V. I., Tkachuk, I. G., Kovaljuk, Z. D. (2018). Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe < RbNO3>. Technology and design in electronic equipment, 2, 3-8. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000885482 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна