Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon / Karachevtseva L. A., Onyshchenko V. F. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000888940
  Хімія, фізика та технологія поверхні    А - 2022  /     Випуск (2018, Т. 9, № 2)

Karachevtseva L. A., Onyshchenko V. F.
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon

Cite:
Karachevtseva, L. A., Onyshchenko, V. F. (2018). Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon. Chemistry, physics and technology of surface, 9 (2), 158-166. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000888940

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна