Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd2S3 films / Jabua Z. U., Gigineishvili A. V., Tabatadze I. G., Kupreishvili I. L. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889685
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2011, Т. 9, № 1)

Jabua Z. U., Gigineishvili A. V., Tabatadze I. G., Kupreishvili I. L.
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd2S3 films

Cite:
Jabua, Z. U., Gigineishvili, A. V., Tabatadze, I. G., Kupreishvili, I. L. (2011). Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd2S3 films. Physical surface engineering, 9 (1), 44-47. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889685

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна