Fundamental limits for the MOSFET conduction channel length taking the real profile of the barrier potential into account / Strikha M. V., Kurchak À. (2021)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276417
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2021, Vol. 66, № 7)

Strikha M. V., Kurchak À.
Fundamental limits for the MOSFET conduction channel length taking the real profile of the barrier potential into account

Cite:
Strikha, M. V., Kurchak, À. (2021). Fundamental limits for the MOSFET conduction channel length taking the real profile of the barrier potential into account. Ukrainian journal of physics, 66 (7), 625-629. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276417

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна