Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов'язаної зі специфікою прояву багатьох долин / Баранський П. І., Гайдар Г. П. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287276
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2012, Вып. 47)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов'язаної зі специфікою прояву багатьох долин

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов'язаної зі специфікою прояву багатьох долин. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2012. Вып. 47. С. 46-50. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287276

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2012, 47)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2012). About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 47, 46-50. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287276 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна