Особливості вибору діелектричних шарів для електролюмінесцентних структур / Бойко В. Г., Заяць М. С. (2021)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342047
  Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка  Б - 2020  /     Випуск (2021, Вип. 56)

Бойко В. Г., Заяць М. С.
Особливості вибору діелектричних шарів для електролюмінесцентних структур

Бібліографічний опис:
Бойко В. Г., Заяць М. С. Особливості вибору діелектричних шарів для електролюмінесцентних структур. Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2021. Вип. 56. С. 115-122. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342047

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2021, 56)

Boiko V. H., Zaiats M. S.
Features of selecting dielectric layers for electroluminescent structures

Cite:
Boiko, V. H., Zaiats, M. S. (2021). Features of selecting dielectric layers for electroluminescent structures. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 56, 115-122. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342047 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна