Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism / Suchikova Y. O., Kovachov S. S., Bardus I. O., Lazarenko A. S., Bohdanov I. T. (2022)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001377813
  Хімія, фізика та технологія поверхні    А - 2022  /     Випуск (2022, Т. 13, № 4)

Suchikova Y. O., Kovachov S. S., Bardus I. O., Lazarenko A. S., Bohdanov I. T.
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism

Cite:
Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T. (2022). Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism. Chemistry, physics and technology of surface, 13 (4), 447-454. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001377813

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна