The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance / Vakariuk, T. Ye., Hromovoi, Yu. S., Danko, V. A., Dorozhynskyi, H. V., Zyno, S. A., Indutnyi, I. Z., Samoilov, A. V., Ushenin, Yu. V., Khrystosenko, R. V., Shepeliavyi, P. Ye. (2013)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363125
Optoelectronics and Semiconductor Technique Б - 2020 /  Issue (2013, Вып. 48)
Вакарюк Т. Є., Громовой Ю. С., Данько В. А., Дорожинський Г. В., Зиньо С. А., Індутний І. З., Самойлов А. В., Ушенін Ю. В., Христосенко Р. В., Шепелявий П. Є.
Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
Бібліографічний опис:
Вакарюк Т. Є., Громовой Ю. С., Данько В. А., Дорожинський Г. В., Зиньо С. А., Індутний І. З., Самойлов А. В., Ушенін Ю. В., Христосенко Р. В., Шепелявий П. Є. Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2013. Вып. 48. С. 89-95. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363125 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2013, 48)
Vakariuk T. Ye., Hromovoi Yu. S., Danko V. A., Dorozhynskyi H. V., Zyno S. A., Indutnyi I. Z., Samoilov A. V., Ushenin Yu. V., Khrystosenko R. V., Shepeliavyi P. Ye.
The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
Cite:
Vakariuk, T. Ye., Hromovoi, Yu. S., Danko, V. A., Dorozhynskyi, H. V., Zyno, S. A., Indutnyi, I. Z., Samoilov, A. V., Ushenin, Yu. V., Khrystosenko, R. V., Shepeliavyi, P. Ye. (2013). The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 48, 89-95. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363125 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF