Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon / Vlasenko, N. A., Sopinskij, N. V., Gule, E. G., Veligura, L. I., Bratus, V. Ja., Melnik, R. S., Denisova, Z. L., Mukhlo, M. A. (2010)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363613
Optoelectronics and Semiconductor Technique Б - 2020 /  Issue (2010, Вып. 45)
Власенко Н. А., Сопинский Н. В., Гуле Е. Г., Велигура Л. И., Братусь В. Я., Мельник Р. С., Денисова З. Л., Мухльо М. А.
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
Бібліографічний опис:
Власенко Н. А., Сопинский Н. В., Гуле Е. Г., Велигура Л. И., Братусь В. Я., Мельник Р. С., Денисова З. Л., Мухльо М. А. Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2010. Вып. 45. С. 76-82. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363613 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2010, 45)
Vlasenko N. A., Sopinskij N. V., Gule E. G., Veligura L. I., Bratus V. Ja., Melnik R. S., Denisova Z. L., Mukhlo M. A.
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
Cite:
Vlasenko, N. A., Sopinskij, N. V., Gule, E. G., Veligura, L. I., Bratus, V. Ja., Melnik, R. S., Denisova, Z. L., Mukhlo, M. A. (2010). Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 45, 76-82. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363613 [In Russian]. | |
|
|
PDF