Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors / Danko, V. A., Indutnyi, I. Z., Mykhailovska, K. V., Shepeliavyi, P. Ye. (2010)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363614
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2010, Вып. 45)

Данько В. А., Індутний І. З., Михайловська К. В., Шепелявий П. Є.
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Бібліографічний опис:
Данько В. А., Індутний І. З., Михайловська К. В., Шепелявий П. Є. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2010. Вып. 45. С. 83-89. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363614

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2010, 45)

Danko V. A., Indutnyi I. Z., Mykhailovska K. V., Shepeliavyi P. Ye.
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors

Cite:
Danko, V. A., Indutnyi, I. Z., Mykhailovska, K. V., Shepeliavyi, P. Ye. (2010). Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 45, 83-89. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363614 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209