Investigation of stability of the pH-sensitive field effect transistors / Pavljuchenko, A. S., Kukla, A. L., Goltvjanskij, Ju. V., Arkhipova, V. M., Dzjadevich, S. V., Soldatkin, A. P. (2010)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363615
Optoelectronics and Semiconductor Technique Б - 2020 /  Issue (2010, Вып. 45)
Павлюченко А. С., Кукла А. Л., Голтвянский Ю. В., Архипова В. М., Дзядевич С. В., Солдаткин А. П.
Исследование стабильности характеристик рН-чув-ствительных полевых транзисторов
Бібліографічний опис:
Павлюченко А. С., Кукла А. Л., Голтвянский Ю. В., Архипова В. М., Дзядевич С. В., Солдаткин А. П. Исследование стабильности характеристик рН-чув-ствительных полевых транзисторов. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2010. Вып. 45. С. 90-99. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363615 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2010, 45)
Pavljuchenko A. S., Kukla A. L., Goltvjanskij Ju. V., Arkhipova V. M., Dzjadevich S. V., Soldatkin A. P.
Investigation of stability of the pH-sensitive field effect transistors
Cite:
Pavljuchenko, A. S., Kukla, A. L., Goltvjanskij, Ju. V., Arkhipova, V. M., Dzjadevich, S. V., Soldatkin, A. P. (2010). Investigation of stability of the pH-sensitive field effect transistors. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 45, 90-99. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363615 [In Russian]. | |
|
|
PDF