Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes / Krukovskyi, S. I., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Mrykhin, I. O., Mykhashchuk, Yu. S. (2011)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363687
Optoelectronics and Semiconductor Technique Б - 2020 /  Issue (2011, Вып. 46)
Круковський С. І., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С.
Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
Бібліографічний опис:
Круковський С. І., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук Ю. С. Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2011. Вып. 46. С. 74-80. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363687 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2011, 46)
Krukovskyi S. I., Sukach A. V., Tetorkin V. V., Mrykhin I. O., Mykhashchuk Yu. S.
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
Cite:
Krukovskyi, S. I., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Mrykhin, I. O., Mykhashchuk, Yu. S. (2011). Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 46, 74-80. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363687 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF