Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure / Abdulkhaev, O. A., Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliev, Sh. M. (2015)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000423708
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2015, № 4)

Абдулхаев О. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Кулиев Ш. М.
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

Бібліографічний опис:
Абдулхаев О. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Кулиев Ш. М. Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2015. № 4. С. 24-27. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000423708

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2015, 4)

Abdulkhaev O. A., Jodgorova D. M., Karimov A. V., Kuliev Sh. M.
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure

Cite:
Abdulkhaev, O. A., Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliev, Sh. M. (2015). Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure. Technology and design in electronic equipment, 4, 24-27. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000423708 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209