Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si / Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000438181
  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    Б - 2019  /     Issue (2014, № 5)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si. Доповіді Національної академії наук України. 2014. № 5. С. 70-75. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000438181

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2014, 5)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2014). Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 5, 70-75. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000438181 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209