The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films / Kasimov, F. D., Ragimov, M. R. (2002)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455306
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2002, № 1)

Касимов Ф. Д., Рагимов М. Р.
Негатронные элементы на основе локальных пленок поликристаллического кремния

Бібліографічний опис:
Касимов Ф. Д., Рагимов М. Р. Негатронные элементы на основе локальных пленок поликристаллического кремния. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. № 1. С. 53-56. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455306

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2002, 1)

Kasimov F. D., Ragimov M. R.
The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films

Cite:
Kasimov, F. D., Ragimov, M. R. (2002). The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films. Technology and design in electronic equipment, 1, 53-56. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455306 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209