Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon / Egorov, S. G., Chervonyj, I. F., Voljar, R. N. (2009)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000466672
  Electrometallurgy Today  Б - 2020  /     Issue (2009, № 3)

Егоров С. Г., Червоный И. Ф., Воляр Р. Н.
Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии

Бібліографічний опис:
Егоров С. Г., Червоный И. Ф., Воляр Р. Н. Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии. Современная электрометаллургия. 2009. № 3. С. 36-39. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000466672

English  Electrometallurgy Today   /     Issue (2009, 3)

Egorov S. G., Chervonyj I. F., Voljar R. N.
Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon

Cite:
Egorov, S. G., Chervonyj, I. F., Voljar, R. N. (2009). Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon. Electrometallurgy Today, 3, 36-39. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000466672 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209