Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal / Seyidov, M., Suleymanov, R. A., Acar, E., Odrinskij, A. P., Mamedov, T. G., Nadzhafov, A. I., Alieva, V. B. (2014)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473970
Low Temperature Physics   А - 2019 /  Issue (2014, Т. 40, № 9)
Seyidov М., Suleymanov R. A., Acar E., Одринский А. П., Мамедов Т. Г., Наджафов А. И., Алиева В. Б.
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS2 в присутствии приме-сей лантана
Бібліографічний опис:
Seyidov М., Suleymanov R. A., Acar E., Одринский А. П., Мамедов Т. Г., Наджафов А. И., Алиева В. Б. Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS2 в присутствии приме-сей лантана. Физика низких температур. 2014. Т. 40, № 9. С. 1062-1070. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473970 |  Low Temperature Physics / Issue (2014, 40 (9))
Seyidov M., Suleymanov R. A., Acar E., Odrinskij A. P., Mamedov T. G., Nadzhafov A. I., Alieva V. B.
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
Cite:
Seyidov, M., Suleymanov, R. A., Acar, E., Odrinskij, A. P., Mamedov, T. G., Nadzhafov, A. I., Alieva, V. B. (2014). Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal. Low Temperature Physics, 40 (9), 1062-1070. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473970 [In Russian]. | |
|
|
PDF