Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system / Bobyk, M. Yu., Ivanytskyi, V. P., Kovtunenko, V. S., Sabov, V. I. (2013)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000475571
Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies   А - 2020 /  Issue (2013, Т. 11, Вип. 1)
Бобик М. Ю., Іваницький В. П., Ковтуненко В. С., Сабов В. І.
Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge–Se
Бібліографічний опис:
Бобик М. Ю., Іваницький В. П., Ковтуненко В. С., Сабов В. І. Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge–Se. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2013. Т. 11, Вип. 1. С. 73-88. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000475571 |  Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies / Issue (2013, 11 (1))
Bobyk M. Yu., Ivanytskyi V. P., Kovtunenko V. S., Sabov V. I.
Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system
Cite:
Bobyk, M. Yu., Ivanytskyi, V. P., Kovtunenko, V. S., Sabov, V. I. (2013). Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, 11 (1), 73-88. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000475571 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF