AlGaInAs graded-dap Gunn diode / Storozhenko, I. P., Kajdash, M. V. (2016)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000585180
  Radiophysics and Electronics   Б - 2020  /     Issue (2016, Т. 7(21), № 3)

Стороженко И. П., Кайдаш М. В.
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна

Бібліографічний опис:
Стороженко И. П., Кайдаш М. В. Варизонный AlGaInAs-диод Ганна. Радиофизика и электроника. 2016. Т. 7(21), № 3. С. 52-57. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000585180

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2016, 7(21) (3))

Storozhenko I. P., Kajdash M. V.
AlGaInAs graded-dap Gunn diode

Cite:
Storozhenko, I. P., Kajdash, M. V. (2016). AlGaInAs graded-dap Gunn diode. Radiophysics and Electronics, 7(21) (3), 52-57. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000585180 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209