Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect / Lunov, S. V., Panasiuk, L. I., Fedosov, S. A. (2012)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724618
  Ukrainian Journal of Physics      А - 2018  /     Issue (2012, Т. 57, № 6)

Луньов С. В., Панасюк Л. І., Федосов С. А.
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту

Бібліографічний опис:
Луньов С. В., Панасюк Л. І., Федосов С. А. Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту. Український фізичний журнал. 2012. Т. 57, № 6. С. 637-642. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724618

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2012, 57 (6))

Lunov S. V., Panasiuk L. I., Fedosov S. A.
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect

Cite:
Lunov, S. V., Panasiuk, L. I., Fedosov, S. A. (2012). Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect. Ukrainian Journal of Physics, 57 (6), 637-642. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724618 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209