Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon / Lytovchenko, V. H., Nasieka, V. M., Yevtukh, A. A. (2012)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727584
  Ukrainian Journal of Physics      А - 2018  /     Issue (2012, Т. 57, № 1)

Литовченко В. Г., Насєка В. М., Євтух А. А.
Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії

Бібліографічний опис:
Литовченко В. Г., Насєка В. М., Євтух А. А. Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії. Український фізичний журнал. 2012. Т. 57, № 1. С. 76-82. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727584

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2012, 57 (1))

Lytovchenko V. H., Nasieka V. M., Yevtukh A. A.
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon

Cite:
Lytovchenko, V. H., Nasieka, V. M., Yevtukh, A. A. (2012). Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon. Ukrainian Journal of Physics, 57 (1), 76-82. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727584 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209