Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band / Lunov, S. V., Burban, O. V., Nazarchuk, P. F. (2015)
Ukrainian

web address of the page https://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730574
  Ukrainian Journal of Physics      А - 2018  /     Issue (2015, Т. 60, № 10)

Луньов С. В., Бурбан О. В., Назарчук П. Ф.
Розрахунок енергії іонізації основного стану мілких донорів в Δ1-моделі зони провідності монокристалів n-Ge

Бібліографічний опис:
Луньов С. В., Бурбан О. В., Назарчук П. Ф. Розрахунок енергії іонізації основного стану мілких донорів в Δ1-моделі зони провідності монокристалів n-Ge. Український фізичний журнал. 2015. Т. 60, № 10. С. 1022-1026. URL: https://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730574

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2015, 60 (10))

Lunov S. V., Burban O. V., Nazarchuk P. F.
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band

Cite:
Lunov, S. V., Burban, O. V., Nazarchuk, P. F. (2015). Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band. Ukrainian Journal of Physics, 60 (10), 1022-1026. https://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730574